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STGW30N120KD_V01

30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

Features ■ Low on-losses ■ High current capability ■ Low gate charge ■ Short circuit withstand time 10 μs ■ IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling diode Applications ■ Motor control Description This high voltage and short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ p

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-3-5 15:39:00
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