STGW20V60DF价格

参考价格:¥9.6050

型号:STGW20V60DF 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGW20V60DF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGW20V60DF批发/采购报价,STGW20V60DF行情走势销售排行榜,STGW20V60DF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGW20V60DF

600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

STGW20V60DF

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW20V60DF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 600V 40A 167W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

20 Ampere low vf Schottky diode

FEATURE .For surface mounted application .High current capability .Low forward voltage drop .Low power loss, high efficiency .High surge current capability .High temperature soldering guaranteed: 260℃/10 seconds at terminals.

ASEMI

强元芯电子

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

MOS GATED BARRIER RECTIFIER

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UTC

友顺

STGW20V60DF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGW20V60DF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 配置

    Single 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    +/- 20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    40 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    250 nA

  • 功率耗散

    167 W

  • 最大工作温度

    + 175 C

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
2511
TO-247
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ST/意法半导体
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TO-247
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只做原装,质量保证
ST/意法半导体
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TO-247
16900
原装,正品
ST/意法半导体
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全新原装深圳仓库现货有单必成
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TO247
50000
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