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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGP8M120DF3 | Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package Features • 10 μs of minimum short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 8 A • Tight parameter distribution • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGP8M120DF3 | 封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGP8M120DF3 | 1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，TO-220封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-12-15 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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ST(意法) |
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20094 |
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STMicroelectronics |
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通孔 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST |
2526+ |
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50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268905邹小姐 |
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STM |
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原厂原装正品 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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