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STGP6M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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意法半导体

STGP6M65DF2

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、6 A,低损耗

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更新时间:2025-12-15 17:20:00
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