STGBL6NC60DI价格

参考价格:¥5.0340

型号:STGBL6NC60DIT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGBL6NC60DI多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGBL6NC60DI批发/采购报价,STGBL6NC60DI行情走势销售排行榜,STGBL6NC60DI报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGBL6NC60DI

6 A, 600 V hyper fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGBL6NC60DI

6 A, 600 V hyper fast IGBT

STMICROELECTRONICS

意法半导体

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 14A 56W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

6 A, 600 V hyper fast IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 7A - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGBL6NC60DI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGBL6NC60DI

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 6 A 600V HYPER FAST IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
5000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
25+
TO263
32360
ST/意法全新特价STGBL6NC60DIT4即刻询购立享优惠#长期有货
ST/意法
11+
TO263
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST
23+
NA
989
专做原装正品,假一罚百!
ST/意法
2517+
TO263
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ST/意法
23+
TO263
50000
只做原装正品
ST/意法
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ST/意法
2023+
TO263
1000
专注全新正品,优势现货供应
ST
24+
TO-263
7500

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