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STGB10NC60HD_V01

600V-10A-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-6-3 22:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
21+
D2PAK-3
8800
公司只做原装正品
ST
2020+
TO-263
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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