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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGB10NB60ST4 | N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT 文件：387.24 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   |
STGB10NB60ST4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB10NB60ST4
- 功能描述
IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2026-1-27 16:36:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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ST/意法 |
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TO263 |
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STMicroelectronics |
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https://hfx03.114ic.com/
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