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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGAP2SICSCTR | Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs Features •Highvoltagerailupto1200V •Drivercurrentcapability:4Asink/source@25°C •dV/dttransientimmunity±100V/nsinfulltemperaturerange •Overallinput-outputpropagationdelay:75ns •Separatesinkandsourceoptionforeasygatedrivingconfiguration •4AMillerCLAMP | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
更新时间：2024-6-6 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST(意法半导体) |
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ST(意法半导体) |
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ST/意法半导体 |
21+ |
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原装现货 |
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ST |
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