| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STG8810A | SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SufaceMountPackage. ●ESDHBM>2KV. | Samhop 三合微科 |  |   |
Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 |  | | |
DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：1.37293 Mbytes Page：4 Pages | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司 |  | | |
DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET 文件：973.56 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-channelpowerMOSfieldeffecttube 文件：270.42 Kbytes Page：1 Pages | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 |  | | |
ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes 文件：175.98 Kbytes Page：7 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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