STG3P2M10N60B价格

参考价格:¥277.1714

型号:STG3P2M10N60B 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STG3P2M10N60B多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STG3P2M10N60B批发/采购报价,STG3P2M10N60B行情走势销售排行榜,STG3P2M10N60B报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STG3P2M10N60B

1-Phase bridge rectifier 3 phase inverter IGBT - SEMITOP 2 module

文件:319.86 Kbytes Page:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STG3P2M10N60B

封装/外壳:SEMITOP®2 包装:托盘 描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STG3P2M10N60B

1-Phase bridge rectifier 3 phase inverter IGBT - SEMITOP 2 module

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STG3P2M10N60B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STG3P2M10N60B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 16:52:00
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