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STG200M65F2D8AG

Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D8 packing

Features • AEC-Q101 qualified • Low-loss series IGBT • Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 200 A • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Tight parameter distribution • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 6 μs minimum short-circuit withstanding time at TJ = 150 C Descriptio

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STG200M65F2D8AG

汽车级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列IGBT晶片,D8封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-15 19:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
24+
TSSOP8
25836
新到现货,只做全新原装正品
ST
25+
PLCC-84
18000
原厂直接发货进口原装
Sage Millmeter
24+
模块
400
ST
26+
BGA
60000
只有原装 可配单
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
SAMSUNG/三星
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ST
23+
BGA
16900
正规渠道,只有原装!
VBsemi
24+
TSSOP8
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
SAMHOP
2024+
TSSOP8
50000
原装现货
VBsemi
24+
TSSOP8
5000
全新原装正品,现货销售

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