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N-channel950V,0.68Ohmtyp.,10AZener-protectedSuperMESH3

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间:2024-6-5 17:30:01
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