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Extremelylowgatecharge

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel650V,0.79typ.,5AMDmeshM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage

Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice

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更新时间:2024-6-5 22:30:01
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