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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STF12N60M2 | Extremely low gate charge 文件：394.65 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STF12N60M2 | N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 600 V, 0.395 Ω typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • 100 avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 0.395 廓 typ., 9 A MDmesh??M2 Power MOSFET in an I짼PAKFP package 文件：380.54 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 0.400 廓 typ., 6.5 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package 文件：474.31 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：404.07 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STF12N60M2规格书下载地址
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2020-10-28
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