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STD12N60M2

N-channel 600 V, 0.395 Ω typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • 100 avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout

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意法半导体

STD12N60M2

N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装

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意法半导体

Extremely low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.395 廓 typ., 9 A MDmesh??M2 Power MOSFET in an I짼PAKFP package

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.400 廓 typ., 6.5 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package

文件:474.31 Kbytes Page:15 Pages

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

更新时间:2025-9-28 22:59:00
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    製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V Id - C連續漏極電流: 80 A Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V

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