| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Extremely low gate charge 文件：394.65 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET The UTC 12N60are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced using UTCs proprietary, planar stripe, DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance, provide superior switching p | UTC 友顺 | | ||
12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages | UTC 友顺 | | ||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
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ST |
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ST/意法 |
15+ |
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ST |
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原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
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2020-10-28
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