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STD13NM50N

N-channel 500 V, 0.285 Ω typ., 12 A MDmesh™ II Power MOSFET in a DPAK package

Features • 100 avalanche tested • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET as

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.32Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 500V - 0.250廓 - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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意法半导体

N-channel 500 V - 0.250 廓 - 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK

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N-channel 500V - 0.250廓 - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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更新时间:2025-8-14 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:STD120N4F6 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 STMicroelectronics 包装:2500 封装:TO-252-3

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  • STD110N8F6

    製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 80 V Id - C連續漏極電流: 80 A Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V

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