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STB13NM50N中文资料
STB13NM50N数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.32Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
STB13NM50N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB13NM50N
- 功能描述
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-7-28 14:37:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST |
22+ |
D2PAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ST |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ST/意法 |
22+ |
D2PAKTO220MONOC.. |
17086 |
||||
ST |
17+ |
I2PAK |
6200 |
||||
ST |
24+ |
TO220MONOC.. |
8866 |
||||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
ST |
23+ |
D2PAK |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ST |
24+ |
D2PAK |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
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- M2PRU-A14R-R/Q
- M2PRU-A14R-R/UL
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- MP1110-2-FV
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- P101
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
