STB24N60M2价格

参考价格:¥21.8295

型号:STB24N60M2 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB24N60M2多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB24N60M2批发/采购报价,STB24N60M2行情走势销售排行榜,STB24N60M2报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB24N60M2

N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK

文件:1.5738 Mbytes Page:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages

Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15453 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel 600 V, 0.168 ??typ., 18 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide creepage package

文件:747.85 Kbytes Page:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB24N60M2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB24N60M2

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 18:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST
23+
NA
19587
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
STM/意法
14+;13+
TO-263-3
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法半导体
23+
TO-263-3
12700
买原装认准中赛美
ST/意法半导体
2511
TO-263-3
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
STMicroelectronics
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D2PAK
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100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
ST(意法)
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ST(意法)
24+
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

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