STB21NM60ND价格

参考价格:¥19.1071

型号:STB21NM60ND 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STB21NM60ND多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB21NM60ND批发/采购报价,STB21NM60ND行情走势销售排行榜,STB21NM60ND报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB21NM60ND

N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

Description The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body d

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB21NM60ND

N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

文件:559.02 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB21NM60ND

Low input capacitance and gate charge

文件:559.02 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB21NM60ND

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:316.08 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

文件:559.02 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.22Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

文件:672.14 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:562.69 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:562.69 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low input capacitance and gate charge

文件:559.02 Kbytes Page:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB21NM60ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB21NM60ND

  • 功能描述

    MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-13 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
D2-PAK
22+
10000
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
ST
23+
D2-PAK
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
STMicroelectronics
21+
D2PAK
2000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
ST
24+
07+
1
原装现货假一罚十
ST/意法
24+
NA/
4150
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST/意法
25+
TO-263
54815
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价
ST
16+
TO263
659
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
STM
23+
TO-263-3 (D2PAK)
50000
原装正品 支持实单
ST
1822+
TO-263
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
ST/意法
21+
NA
7000
只做原装,假一罚十

STB21NM60ND数据表相关新闻

  • STB35N65DM2

    STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET,具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择,将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。

    2023-11-24
  • STB12NM50ND

    STB12NM50ND

    2023-8-2
  • STBR3012G2Y-T

    https://hfx03.114ic.com

    2022-12-14
  • STB13NM60N

    热卖-原装正品现货

    2022-8-11
  • STBC08PMR

    STBC08PMR 电池充电管理芯片 ST 封装DFN6

    2022-8-2
  • STB20N90K5 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:STB20N90K5 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 STMicroelectronics 包装:1000 封装:TO-263-3

    2021-9-18