STB20NM60D价格

参考价格:¥25.6196

型号:STB20NM60D 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB20NM60D多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB20NM60D批发/采购报价,STB20NM60D行情走势销售排行榜,STB20NM60D报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB20NM60D

N-channel 600V - 0.26廓 - 20A - D2PAK FDmesh??Power MOSFET

Description The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters. ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ 100 A

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB20NM60D

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:313.79 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)

Description The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters. ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ 100 Avalanch

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 0.25廓 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh??Power MOSFET

Features 1. High dv/dt and avalanche capabilities 2. 100 avalanche tested 3. Low input capacitance and gate charge 4. Low gate input resistance Applications 1. Switching applications Description The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)

Description The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters. ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ 100 Avalanch

STMICROELECTRONICS

意法半导体

20A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET

文件:240.75 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15454 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STB20NM60D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB20NM60D

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
22+
TO-263-3
6002
原装正品现货 可开增值税发票
ST/意法半导体
2023+
TO-263-3
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
ST/意法半导体
24+
TO-263-3
16900
原装现货,实单价优
ST
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36968
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ST/意法半导体
23+
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20000
ST/意法半导体
25
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原装正品
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    2021-9-18