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STB12NM60N-1

N-channel600V-0.35廓-10A-D2/I2PAK-TO-220/FP-TO-247SecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STB12NM60N-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB12NM60N-1

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-21 8:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
22+
TO
66900
原厂原装现货
ST
17+
I2PAK
6200
ST/意法
22+
TO220MONOC
21458
ST
21+
TO220MONOC
23480
ST
24+
TO
16900
支持样品,原装现货,提供技术支持!
ST
23+
TO220
10
原装房间现货假一赔十
ST
25+
TO
16900
原装,请咨询
ST/意法
24+
NA/
260
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST
20+
TO-263
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST/意法
23+
TO
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

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