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STB12NM60N-1中文资料

厂家型号

STB12NM60N-1

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591.63Kbytes

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18

功能描述

N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

MOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STB12NM60N-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB12NM60N-1

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 10:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
20+
SOP
600
全新现货热卖中欢迎查询
ST
17+
I2PAK
6200
ST
24+
TO220MONOC..
8866
ST
22+
TO220MONOC..
6000
十年配单,只做原装
ST/意法
22+
TO220MONOC
21458
ST
25+
TOTO-220MONO
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST
20+
TO-263
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST/意法
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST
0846+
TO-263
260
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