STB10N60M2价格

参考价格:¥6.6405

型号:STB10N60M2 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB10N60M2多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB10N60M2批发/采购报价,STB10N60M2行情走势销售排行榜,STB10N60M2报价。
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STB10N60M2

N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D짼PAK

Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB10N60M2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=7.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STB10N60M2

N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,D2PAK封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=7.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D짼PAK

Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They

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意法半导体

Extremely low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-9-26 13:50:00
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ST/意法
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全新原装深圳仓库现货有单必成

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