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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 20A, RDS(ON) = 25mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 32mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 7.3A, RDS(ON) = 26mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 35mW @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

Precision Potentiometer / Position Sensor

文件:417.4 Kbytes Page:3 Pages

BITECH

1.0A Dual USB High-Side Power Switch

文件:222.44 Kbytes Page:9 Pages

AIC

沛亨半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.53941 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-26 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    特点 稳压5V ± 4%的手续费泵 输出电流保证在温度:20MA(第六2V。),30毫安(六。3V) 不电感非常低的EMI噪声 使用小型,廉价的电容器 逻辑控制漏电流小于1mA关下电源电流 关机断开负载输入 提供SO - 8和DIP - 8封装 ST619LB是一个升压电荷泵DC - DC转换器可​​提供5V的稳压电源± 4%输出30毫安和过热。输入电压范围为2V至3.6V(两个电池)。它要求只有4个外部电容:两个0.22mF

    2012-12-19