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AIC6188

1.0A Dual USB High-Side Power Switch

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AIC

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 20A, RDS(ON) = 25mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 32mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 7.3A, RDS(ON) = 26mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 35mW @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

Precision Potentiometer / Position Sensor

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BITECH

瑞谷拜特

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.53941 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-8-8 17:28:00
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    AIC-8375C/T,AIC-9535Q,ASIA 5025904D,AA205AC1,96P027,A7001(HSDL7001),A571AGA,8211,84897012,83BI1,84,92256MN5,04827786AA,20019AAH,20034AAC,23400269-021,23400278-002

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