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CEM6188

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 7.3A, RDS(ON) = 26mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 35mW @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

CEM6188

Dual N-Channel Advanced Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 9 A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

CEM6188

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEM6188

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.53941 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 7.4A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 31mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

N Channel MOSFET

CET

华瑞

Precision Potentiometer / Position Sensor

文件:417.4 Kbytes Page:3 Pages

BITECH

GaAs FET Low Noise Amplifier

文件:117.63 Kbytes Page:1 Pages

DAICO

50 Watt RF Load Up to 4 GHz With N Male Input Square Body Black Anodized Aluminum Heatsink

文件:428.16 Kbytes Page:4 Pages

PASTERNACK

Medium Power 50 Watts RF Load Up To 4 GHz With N Male

文件:203.28 Kbytes Page:3 Pages

PASTERNACK

CEM6188产品属性

  • 类型

    描述

  • BVDSS(V):

    60

  • Rds(on)mΩ@10V:

    26

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    35

  • ID(A):

    7.3

  • Qg(nC)@10V(typ):

    26

  • RθJC(℃/W):

    62.5

  • Pd(W):

    2

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    N

更新时间:2026-5-19 21:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SYFOREVER
25+
SOP-8
20300
SYFOREVER原装特价CEM6188即刻询购立享优惠#长期有货
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CETSEMI
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SOP8
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
CETSEMI
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SO-8
13509
全新 发货1-2天

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