位置：首页 > IC中文资料第3723页 > SSP3N80
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 25 μA (Max.) @ VDS = 800V ■ Low RDS(ON) : 3.800 W (Typ.) | Fairchild 仙童半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：344.92 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Advanced Power MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
2.5 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N80provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 19 nC ) * Low Reverse Transfer | UTC 友顺 | | ||
3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：210.29 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：222.92 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
Fast Switching 文件：49.87 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：398.32 Kbytes Page：8 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | |
SSP3N80产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSP3N80
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
11546 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
SEC/上优 |
25+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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24+ |
N/A |
2540 |
|||||
FSC |
17+ |
TO-220 |
6200 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO 220 |
155383 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FAIRCHILD |
22+ |
TO-220 |
20000 |
只做原装 品质保障 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
02+ |
TO-220 |
8296 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
SSP3N80规格书下载地址
SSP3N80参数引脚图相关
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