位置：首页 > IC中文资料第3723页 > SSP3N80A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SSP3N80A | Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 25 μA (Max.) @ VDS = 800V ■ Low RDS(ON) : 3.800 W (Typ.) | Fairchild 仙童半导体 |   | |
SSP3N80A | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：344.92 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
SSP3N80A | Advanced Power MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | |
2.5 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N80provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 19 nC ) * Low Reverse Transfer | UTC 友顺 | | ||
3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：210.29 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：398.32 Kbytes Page：8 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | | ||
Fast Switching 文件：49.87 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：222.92 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | |
SSP3N80A产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSP3N80A
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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FAIRCHILD/仙童 |
02+ |
TO-220 |
8296 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SEC/上优 |
25+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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FAIRCHILD |
22+ |
TO-220 |
20000 |
只做原装 品质保障 |
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FSC |
TO220 |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ST/意法 |
23+ |
TO220 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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FAIRCHILD |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
仙童 |
06+ |
TO-220 |
5000 |
原装库存 |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
800 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
SSP3N80A规格书下载地址
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