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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SSD20

Standard fuse links size E1

文件：77.95 Kbytes Page：3 Pages

COOPER

科普斯株洲市科普斯科技有限公司

COOPER
SSD20

Circuit Protection Solutions Low Voltage Fuse Links Catalogue

文件：4.91849 Mbytes Page：55 Pages

COOPER

科普斯株洲市科普斯科技有限公司

COOPER
SSD2007

Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐ExtremelyLowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐RuggedPolysiliconGateCellStructure ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability ❐SurfaceMoundingPackage:8SOP

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD2007A

Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐ExtremelyLowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐RuggedPolysiliconGateCellStructure ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability ❐SurfaceMoundingPackage:8SOP

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD2009

Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐LowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD2009A

Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐LowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD2009A

Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐LowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD2009ATF

Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐LowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD2011A

Dual P-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐LowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD2025

Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES ❐LowerRDS(on) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SSD20N03

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION TheSSD20N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N06-90D

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,pri

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N10-250D

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovideLowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation. TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,pr

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N15-250D

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovideLowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,pri

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20P03-60

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableAndbattery-poweredproductssuchascomputers,pri

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20P04-60D

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovideLowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,pri

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20P06-135D

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovideLowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,p

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD2015

Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件：2.11607 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SSD20N06

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：354.27 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N06_15

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：401.98 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N06-90D

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：899.03 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SSD20N06-90D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：674.93 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
SSD20N10_15

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：538.32 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N10-130D

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：538.32 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N10-130D

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：1.01079 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SSD20N10-250D

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：1.01075 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SSD20N15

N-Channel Enhancement MOSFET

文件：672.09 Kbytes Page：5 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N15-250D

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件：1.00484 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SSD20N20_15

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：464.7 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N20-125D

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：470.38 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20N20-125D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.76968 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
SSD20P03_15

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：412.69 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20P03-60

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.01705 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SSD20P04_15

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：388.62 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20P06_15

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：396.01 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20P06-135D

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：990.46 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SSD20P15_15

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：447.28 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
SSD20P15-295D

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：447.28 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

SSD20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SSD20

  • 功能描述

    保险丝 20A 240VAC IND

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Littelfuse

  • 产品

    Surface Mount Fuses

  • 电流额定值

    0.5 A

  • 电压额定值

    600 V

  • 保险丝类型

    Fast Acting

  • 保险丝大小/组

    Nano

  • 尺寸

    12.1 mm L x 4.5 mm W

  • 端接类型

    SMD/SMT

  • 系列

    485

SSD20供应商更多...

更新时间：2024-6-10 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
SSD2025TF
FAIRCHI
2020+
SOP8
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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深圳市昌和盛利电子有限公司
SSD2005TF
SAMSUNG
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SOIC
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瀚佳科技(深圳)有限公司
SSD2004TF
SAMSUNG
21+
SOP
35200
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深圳市得捷芯城科技有限公司
SSD20P06-135D
SECOS
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深圳市英卓尔科技有限公司
SSD2019ATF
N/A
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中科航电（深圳）电子集团有限公司
SSD20P04-60D
VBsemi/台湾微碧
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深圳市明嘉莱科技有限公司
SSD20P06-135D
SECOS
24+
TO252
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市振宏微科技有限公司
SSD2025TF
FSC
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NA
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深圳市华斯顿科技有限公司
SSD2003TF
SAMSUNG
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绝对原装正品全新进口深圳现货
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深圳市胜彬电子有限公司
SSD2009A
FAIRCILD
22+
SOIC-8
3000
原装正品,支持实单
询价

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