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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SQ4431EY-T1-GE3 | P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -9A RDS(ON) | Bychip 百域芯 |   |
SQ4431EY-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SQ4431EY-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 30V 10.8A 6W P-Ch Automotive
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-20 12:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
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VISHAY |
20+ |
SOP8 |
31 |
原装 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
20300 |
VISHAY/威世原装特价SQ4431EY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VBsemi(台湾微碧) |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOIC-8 |
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SQ4431EY-T1-GE3规格书下载地址
SQ4431EY-T1-GE3参数引脚图相关
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SQ2361ES
2022-4-26SQ2361ES场效应管 MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
原装正品 假一罚十
2022-4-26SQ4942EY-T1-GE3
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2021-10-20SQJ459EP-T1_GE3
SQJ459EP-T1_GE3
2020-10-29
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