SQ2361ES 贴片 SOT23-3 60V 2.5A P沟道场效应管 VISHAY

时间:2022-4-26 15:24:00

SQ2361ES

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 2.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 177 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 2 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

系列: SQ

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 22 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

零件号别名: SQ2361ES-T1_BE3

单位重量: 8 mg