SQ2361AEES-T1_GE3

制造商编号：

SQ2361AEES-T1_GE3

制造商：Vishay / Siliconix

客户编号:

客户编号

说明：

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

数据表:

SQ2361AEES-T1_GE3 数据表

ECAD模型:为｛0｝构建或请求PCB符号、占位面积或型号下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息了解Vishay / Siliconix SQ2361AEES-T1_GE3详情、

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 2.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 10 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 2 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

系列: SQ

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 24 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

零件号别名: SQ2361AEES-T1_BE3

单位重量: 8 mg