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SQ4431EY-T1-GE3中文资料

厂家型号

SQ4431EY-T1-GE3

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5

功能描述

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

MOSFET 30V 10.8A 6W P-Ch Automotive

数据手册

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生产厂商

BYCHIP

SQ4431EY-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

Features

VDS= -30V, ID= -9A

RDS(ON) < 16 mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 23 mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

SQ4431EY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQ4431EY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 10.8A 6W P-Ch Automotive

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 15:29:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
24+
标准封装
7248
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
VISHAY/威世
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VISHAY/威世原装特价SQ4431EY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
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原装正品,假一罚十
Vishay(威世)
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50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世
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SOIC-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世
21+
SOP-8
10000
原装现货假一罚十
Vishay(威世)
2021/2022+
标准封装
6500
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
VISHAY
21+
SOP8
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力