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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIPMOS Power-Transistor 文件：113.94 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | ||
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：939.54 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 | Infineon 英飞凌 | | ||
Dual-P Enhancement MOSFET Features VDS=-60V, ID=-8A RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.) RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) Main Applications Battery Protection Load Switch Power Management | GWSEMI 唯圣电子 | | ||
SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：605.25 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
SIPMOS Power-Transistor 文件：96.95 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：297.89 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
SIPMOS Power-Transistor 文件：273.54 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | |
SPU08P06产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPU08P06
- 功能描述
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
SIPMOS®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-251 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价SPU08P06P即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原装现货 |
|||
inf进口原 |
24+ |
TO-251 |
30980 |
原装现货/放心购买 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-251 |
93648 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
24+ |
原装进口原厂原包接受订货 |
2866 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
19048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-251 |
1040 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
inf进口原 |
25+23+ |
TO-251 |
23365 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
SPU08P06规格书下载地址
SPU08P06参数引脚图相关
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2020-12-11
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