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参考价格：￥3.1526

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SPB08P06PG	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：273.37 Kbytes Page：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB08P06PG	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.87241 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB08P06P	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：297.89 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPB08P06P	SIPMOS Power-Transistor 文件：96.95 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
F08P06S	Dual-P Enhancement MOSFET Features  VDS=-60V, ID=-8A  RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.)  RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
08P06P	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：605.25 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-11-3 23:00:00

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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SPB08P06PG	INF	23+	SOT404	5000	原装正品,假一罚十	询价
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2022-3-28
SP8K24-TB
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2021-10-20
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2019-12-16
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3 BSZ520N15NS3 G 电信，供电系统
2019-8-6
SPA07N60C3
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2019-4-24
SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点 •新的革命高电压技术 •内在的快速恢复体二极管 •极低的反向恢复电荷 •超低栅极电荷 •至尊的dv/ dt的额定 •高峰值电流能力 •定期雪崩额定 •合格的为工业级应用根据JEDEC0） •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10