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F08P06S

Dual-P Enhancement MOSFET

Features  VDS=-60V, ID=-8A  RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.)  RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management

GWSEMI

唯圣电子

SIPMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

isc P-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

SIPMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

SIPMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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