SPB08P06P价格

参考价格:¥3.1526

型号:SPB08P06PG 品牌:INF 备注:这里有SPB08P06P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SPB08P06P批发/采购报价,SPB08P06P行情走势销售排行榜,SPB08P06P报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPB08P06P

SIPMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

SPB08P06P

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:297.89 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

SIPMOS짰 Power-Transistor

文件:273.37 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

SIPMOS짰 Power-Transistor

文件:273.37 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

SIPMOS Power-Transistor

文件:273.54 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.87241 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Dual-P Enhancement MOSFET

Features  VDS=-60V, ID=-8A  RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.)  RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management

GWSEMI

唯圣电子

SIPMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

SPB08P06P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB08P06P

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
109
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
16048
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
INFINEON
2016+
TO263
6000
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
INFINEON
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
INFINEON
20+
P-TO263-3-2
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
INFINEON/英飞凌
22+
TO263
12245
现货,原厂原装假一罚十!
INFINEON
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
Infineon(英飞凌)
23+
NA
7000
工厂现货!原装正品!
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
1500
只做原厂渠道 可追溯货源

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