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9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package

Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate

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Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate

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更新时间:2025-12-28 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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