SPD30P06PG天芯科技优势渠道积累-货源稳定-价格优势

时间：2019-6-18 11:42:00

深圳市天芯半导体科技有限公司 0755-82725660 18128853661（微信75056055） QQ：177691499

零件状态在售

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 SIPMOS?

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 75 毫欧 @ 21.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1.7mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 48nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1535pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 125W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

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型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
SPD30P06	-60V P-Channel MOSFET	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SPD30P06	-60V P-Channel MOSFET	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SPD30P06P	SIPMOS? Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30P06P	SIPMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30P06P	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD30P06P_08	SIPMOS? Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30P06PG	SIPMOS? Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD30P06PG	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD30P06PG	-60V P-Channel MOSFET	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
30P06	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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