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NID9N05BCL

Power MOSFET

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安森美半导体

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安森美半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:托盘 描述:MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package

Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate

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Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate

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更新时间:2025-10-29 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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