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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：899.37 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：899.32 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：265.49 Kbytes Page：8 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：260.98 Kbytes Page：8 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor | INFINEON 英飞凌 | | ||
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：264.82 Kbytes Page：8 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：263.37 Kbytes Page：8 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor | INFINEON 英飞凌 | | ||
TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.050 OHM TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.045 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICA | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
60V N-Channel MOSFET 文件：663.34 Kbytes Page：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
60V N-Channel MOSFET 文件：663.34 Kbytes Page：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | |
SPD30N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPD30N06
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
P-TO252-3-11 |
18888 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252D-PAK |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
136 |
||||
infineon |
18+ |
SOT252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SOT252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
INFINEON |
22+ |
SOT252 |
20000 |
公司只有原装 品质保障 |
|||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
40043 |
INFINEON/英飞凌全新特价SPD30N06S2L-23即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON |
1932+ |
TO-252 |
594 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SPD30N06规格书下载地址
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- stm32f103
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- stc89c52rc
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- st18
- sst25vf040
- sr2m
- spwm
- spice模型
- SPD48
- SPD42R
- SPD3913
- SPD3912
- SPD3911
- SPD3910
- SPD3909
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2023-4-28SPC574K72E5C6FAR
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2022-7-8SPH-002T-P0.5S
属性 参数值 商品目录 压接端子 触头材料 磷青铜 触头镀层 锡 线规 - AWG 24~30 镀层厚度 - 线规 - mm2 0.05~0.22 产品类型 压线端子 认证 RoHS
2020-11-13SPC7011F-C6-TE3 原装现货假一赔十热卖中
保证最优惠的价格，薄利多销为经营理念;_ 服务:最快捷的交货方式，货品均有30天质量保证
2020-4-15SpeedMezz连接器系列1733000106
Molex SpeedMezz 连接器系列提供了薄型、小尺寸和灵活设计的夹层解决方案
2019-10-21SPD30P06PG天芯科技优势渠道积累-货源稳定-价格优势
深圳市天芯半导体科技有限公司 0755-82725660 18128853661（微信75056055） QQ：177691499
2019-6-18
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