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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=1.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplic

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更新时间:2024-5-22 16:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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TO263-7
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只做原厂渠道 可追溯货源
NEC
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
RENESAS
2023+
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Renesas(瑞萨)
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