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SISS54DN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen V power MOSFET • Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) • Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SiSS54DN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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更新时间:2025-12-26 20:00:00
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