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SIS376DN-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:121.41 Kbytes Page:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIS376DN-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIS376DN-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-7-31 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
-
23+
-
50000
全新原装正品现货,支持订货
CISCO
22+
BGA
20000
公司只做原装 品质保证
BELPOWERSOLUTIONS
23+
SIPDIP
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
VISHAY/威世
11+
QFN
100
原装现货
VISHAY
25+
PPAK1212-8
18000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
VISHAY
24+
PowerPAK-1
25836
新到现货,只做全新原装正品
26+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
VISHAY/威世
25+
90000
全新原装现货
CISCO
23+
BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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