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SIHLZ44_V01

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Breakdown Voltage

DGNJDZ

南晶电子

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

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SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES e Low current : 300mA(max) e High voltage: Vcgo=400V

DGNJDZ

南晶电子

Power MOSFET

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更新时间:2025-10-19 13:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-263
50000
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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MOSFETs
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SIHP054N65E-GE3
VISHAY/威世
23+
SOT263
7000

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