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IRFZ44_V01 | Power MOSFET 文件：1.62129 Mbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   |
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Breakdown Voltage | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 |  | | |
Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES e Low current : 300mA(max) e High voltage: Vcgo=400V | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | | | |
Power MOSFET 文件：1.81737 Mbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
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2019-11-1
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