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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRLZ44_V01 | Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Breakdown Voltage | DGNJDZ 南晶电子 | | ||
SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES e Low current : 300mA(max) e High voltage: Vcgo=400V | DGNJDZ 南晶电子 | | ||
Power MOSFET 文件：1.62129 Mbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power MOSFET 文件：1.81737 Mbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VBsemi |
24+ |
TO220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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VBsemi |
23+ |
TO220 |
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原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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IR |
NEW |
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IR |
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TO-220AB |
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IR |
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FAIRCHILD |
05+ |
原厂原装 |
4384 |
只做全新原装真实现货供应 |
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VBsemi |
24+ |
TO220 |
8000 |
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