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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIHG24N65E-E3 | E Series Power MOSFET 文件：182.41 Kbytes Page：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Ser | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：213.56 Kbytes Page：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SIHG24N65E-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHG24N65E-E3
- 功能描述
MOSFET N-Channel 650V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
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