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SIHG24N65E-E3中文资料

厂家型号

SIHG24N65E-E3

文件大小

182.41Kbytes

页面数量

8

功能描述

E Series Power MOSFET

MOSFET N-Channel 650V

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIHG24N65E-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHG24N65E-E3

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 650V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-8 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
TO247
32360
VISHAY/威世全新特价SIHG24N65E-E3即刻询购立享优惠#长期有货
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100%原装正品现货
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原装进口公司现货假一赔百
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY/威世
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明嘉莱只做原装正品现货
VISHAY/威世通
21+
TO247
10000
原装现货假一罚十

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